[发明专利]集成式双向超低电容TVS器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成式双向超低电容TVS器件及制造方法，包括：提供第一导电类型衬底；其上形成第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延层，形成二极管D2；形成隔离结构，并形成第一区域、第二区域及第三区域；在第一区域中形成第一导电类型隔离，其与第一导电类型衬底相连；在第三区域中形成第二导电类型阱；在第一区域中形成第二导电类型注入区，其与第一导电类型隔离相连，形成二极管Z1；在第二区域及第二导电类型阱中均形成第一导电类型注入区，形成二极管D1及二极管Z2；形成第一金属线及第二金属线，分别连接二极管Z1及二极管D1，二极管D1及二极管Z2。从而避免了封装上的缺陷，提高了器件质量。

主权项

一种集成式双向超低电容TVS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型衬底；在所述第一导电类型衬底上形成第一导电类型外延层；在所述第一导电类型外延层中形成第二导电类型埋层；在所述第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延层，所述第一导电类型外延层与第二导电类型外延层构成二极管D2；形成隔离结构，所述隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，并在所述第二导电类型外延层中形成第一区域、第二区域及第三区域；在所述第一区域中形成第一导电类型隔离，且所述第一导电类型隔离与所述第一导电类型衬底相连；在所述第三区域中形成第二导电类型阱；在所述第一区域中形成第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离相连，所述第二导电类型注入区与所述第一导电类型隔离构成二极管Z1；在所述第二区域及第二导电类型阱中均形成第一导电类型注入区，其中，所述第二区域中的第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成二极管D1，所述第二导电类型阱中的第一导电类型注入区与第二导电类型阱构成二极管Z2；形成第一金属线及第二金属线，其中，所述第一金属线连接所述二极管Z1及二极管D1，所述第二金属线连接所述二极管D1及二极管Z2。