[发明专利]二维聚膦腈纳米片层及其制备和应用方法无效
申请号: | 201310423176.3 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN103483589A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 陈奎永;黄小彬;刘洪;唐小真 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C08G79/02 | 分类号: | C08G79/02;A61K47/34;B01J32/00;C09K21/14 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一种纳米材料技术领域的二维聚膦腈纳米片层及其制备和应用方法,其化学结构式为 |
||
搜索关键词: | 二维 聚膦腈 纳米 及其 制备 应用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种二维聚膦腈纳米片层,其特征在于,其分子结构式如下所示:![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310423176.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于商品重量的配送中心出库复核方法
- 下一篇:一种新型LEDSMD支架