[发明专利]降低芯片遭到物理应力损伤的激光划片方法

摘要

本发明公开了一种降低芯片遭到物理应力损伤的激光划片方法，采用如下技术方案实现从晶圆背面入射激光，首次激光扫描聚焦于晶圆划片道的正表面；选择设定强度的激光源能量，使得晶圆划片道表面晶体间的共价键能被充分的断键形成无定形层，以降低机械应力的传递能力；在同一划片道内的多次激光扫描，扫描激光聚焦深度依次由深到浅；扫描激光聚焦点间的间距设置应确保聚焦点的间距小于等于所用激光源的有效断键区半径。本发明能够极大地减少激光划片对划片道小于20μm的Flash产品的损伤，使激光划片能在划片道小于20μm的Flash产品上得到量产应用。本发明适用于划片道小于20μm的Flash产品。

主权项

一种降低芯片遭到物理应力损伤的激光划片方法，其特征在于：从晶圆背面入射激光，首次激光扫描聚焦于晶圆划片道的正表面；选择设定强度的激光源能量，使得晶圆划片道表面晶体间的共价键能被充分的断键形成无定形层，以降低机械应力的传递能力；在同一划片道内的多次激光扫描，扫描激光聚焦深度依次由深到浅；扫描激光聚焦点间的间距设置，在横向上考虑扫描速度与激光源发射频率之间的协调，应确保聚焦点的间距小于等于所用激光源的有效断键区半径；所述激光划片的工艺参数为：激光源波长λ：1200nm≥λ≥900nm；激光功率P：1.1W≥P≥0.8W；激光发射频率f：100KHz≥f≥80KHz；划片扫描速度v：200mm/s≤v≤300mm/s。