[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201310423624.X | 申请日: | 2013-09-17 |
公开(公告)号: | CN103681522A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 野上洋一;山本佳嗣;井上晃;横山吉典;藤田淳;远藤加寿代;曾田真之介;西川和康 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/08 | 分类号: | H01L23/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;汤春龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上,分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上,包围半导体元件(2),与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13),密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106~1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其中具备:衬底;半导体元件,配置于所述衬底上;布线,配置于所述衬底上,且与所述半导体元件电连接;窗框部,配置于所述衬底上,包围所述半导体元件,且与所述布线相接;以及密封窗,与所述窗框部接合,密封所述半导体元件,所述窗框部是具有薄膜电阻为106~1010Ω/□的低熔点玻璃。
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