[发明专利]CMOS管恒定比例电流镜无效
| 申请号： | 201310424301.2 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104460820A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 何阳 | 申请（专利权）人： | 何阳 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | CMOS管恒定比例电流镜，包括镜像管，其特征在于：还包括与镜像输入管连接的第一隔离管（3），与镜像输出管连接的第二隔离管（4），所述第一隔离管和第二隔离管的栅极都与输入端（1）连接，第一隔离管的漏极与输入端之间还有调压电阻（5），第二隔离管的漏极连接输出端（2）。采用本发明所述CMOS管恒定比例电流镜，利用层叠管对镜像管源漏电压的差值进行了稳定，沟道长度调制效应被屏蔽，使电流镜的电流复制精度提高，适用于CMOS工艺下的大比例电流复制。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 恒定 比例 电流 | ||
【主权项】：
CMOS管恒定比例电流镜，包括镜像管，其特征在于：还包括与镜像输入管连接的第一隔离管（3），与镜像输出管连接的第二隔离管（4），所述第一隔离管和第二隔离管的栅极都与输入端（1）连接，第一隔离管的漏极与输入端之间还有调压电阻（5），第二隔离管的漏极连接输出端（2）。
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