[发明专利]基于高压工艺的静电保护环无效
| 申请号： | 201310424457.0 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104465625A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 梁懿 | 申请（专利权）人： | 梁懿 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。采用本发明所述基于高压工艺的静电保护环，在拐角处减少了孔的数量，使电场线在拐角处被削弱，增强了拐角处的耐压，提高了整个芯片的抗静电等级。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高压 工艺 静电 保护环 | ||
【主权项】：
一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。
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