[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310426420.1 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103715237B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法，高耐压/低导通电压，且抑制了闩锁现象的产生。所述半导体装置具有p型集电区；n型漂移区，其配置于集电区上；p型基区，其配置于漂移区上；n型发射区，其配置于基区上；栅氧化膜，其配置于从发射区的上表面延伸而贯穿发射区以及基区的槽的底面及侧表面；以及栅电极，其隔着栅氧化膜与基区相对地嵌入到槽的内部，其中，基区的下表面的位置在与栅氧化膜接触的区中比离开栅氧化膜的区浅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具有：p型集电区；n型漂移区，其配置于所述集电区上；p型基区，其配置于所述漂移区上；n型发射区，其配置于所述基区上；栅氧化膜，其配置于如下槽的底面及侧表面，该槽是从所述发射区的上表面延伸而贯穿所述发射区及所述基区来形成的；栅电极，其隔着所述栅氧化膜与所述基区相对地嵌入到所述槽的内部；以及n型载流子蓄积区，其配置于所述漂移区与所述基区之间的至少一部分中，且杂质浓度高于所述漂移区，所述基区的下表面的位置在与所述栅氧化膜接触的区中比离开所述栅氧化膜的区浅，与所述栅氧化膜接触的区中的所述载流子蓄积区的厚度比离开所述栅氧化膜的所述载流子蓄积区的区厚，离开所述栅氧化膜的区中的所述基区的下表面是平坦的，离开所述栅氧化膜的区中的所述载流子蓄积区的下表面是平坦的。
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