[发明专利]一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法

摘要

本发明提供一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括在晶硅太阳能电池背面，利用P型硅球配制硅墨或浆料作为硼源，采用喷墨打印或者丝网印刷来转移图案，经烘干，退火形成带硼掺杂的局部背场，再经沉积背表面钝化膜，印刷银浆，最后快速烧结使得背面电极银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触。该工艺能跟现行生产工艺兼容，不需要增加新设备，生产成本低廉，适合工业化生产。

主权项

一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括如下步骤：第1步、将硅片进行制绒、清洗、扩散、边缘刻蚀及去磷硅玻璃，得到前工序硅片；第2步、将P型硅球混合于印浆中，再印刷于第1步所得的前工艺硅片背面，烘干后再进行退火，得到带硼掺杂局部背场的硅片；第3步、在第2步所得的硼掺杂局部背场的硅片的背面沉积钝化膜；第4步、将银浆套印于烘干后的印浆表面，再进行烘干；第5步、对硅片进行烧结，使银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触。