[发明专利]一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法有效
| 申请号： | 201310426982.6 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103433491A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 舒阳会;胡娟 | 申请（专利权）人： | 湖南航天工业总公司 |
| 主分类号： | B22F3/26 | 分类号： | B22F3/26;C23C10/22 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中;李发军 |
| 地址： | 410205 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法。为了解决现有的碳化硅IGBT基板骨架覆铝存在的覆铝不均匀，铝合金层存在细孔影响质量等问题，所述碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置包括置于真空压力浸渗炉内的陶瓷坩埚，设置在陶瓷坩埚底部的带孔石墨板；装在陶瓷坩埚内的多块碳化硅IGBT基板骨架和多块不锈钢陶瓷组合板；相邻两块碳化硅IGBT基板骨架之间设有一块与之平行布置的所述不锈钢陶瓷组合板；所述陶瓷坩埚的侧壁上开有用于固定所述碳化硅IGBT基板骨架或不锈钢陶瓷组合板的卡槽；所述陶瓷坩埚内装有含硅质量分数大于13%的铸造铝合金。本发明解决了铝碳化硅IGBT基板双面均匀覆铝合金的技术难题，陶瓷坩埚可重复使用，成本低，产量高、质量好，适合于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 igbt 骨架 真空 压力 装置 双面 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置；其特征在于，包括置于真空压力浸渗炉内的陶瓷坩埚（1），设置在陶瓷坩埚（1）底部的带孔石墨板；装在陶瓷坩埚（1）内的多块碳化硅IGBT基板骨架和多块不锈钢陶瓷组合板；相邻两块碳化硅IGBT基板骨架之间设有一块与之平行布置的所述不锈钢陶瓷组合板；所述陶瓷坩埚（1）的侧壁上开有用于固定所述碳化硅IGBT基板骨架或不锈钢陶瓷组合板的卡槽（2,3,4,5）；所述陶瓷坩埚（1）内装有含硅质量分数大于13%的铸造铝合金。
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