[发明专利]一种稳定性强且电导率高的单层石墨烯薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310428026.1 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103482622A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 阳晓宇;卢毅;苏宝连 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 邬丽明;唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稳定性强且电导率高的单层石墨烯薄膜的制备方法，它包括以下步骤：1）将基片亲水化处理；2）将亲水处理后的基片浸泡在新配置的硅烷偶联剂溶液中，浸泡时间为1-2小时；3）取出经硅烷偶联剂溶液浸泡的基片，清洗，得到改性基片；4）氧化还原法制备单层石墨烯溶液；5）在室温下，将步骤3）得到的改性基片浸入步骤4）的石墨烯溶液中，浸泡时间为5-20分钟，然后取出基片，将基片真空干燥即得到单层石墨烯薄膜。本发明一步法制备石墨烯薄膜，过程简便，周期短，原料廉价，低成本，在低温下即可合成。本发明的石墨烯薄膜具有较高电导率、透光率以及很强的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 电导率 单层 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稳定性强且电导率高的单层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：1）将基片亲水化处理；2）将亲水处理后的基片浸泡在新配置的硅烷偶联剂溶液中，浸泡时间为1‑2小时；3）取出经硅烷偶联剂溶液浸泡的基片，清洗，得到改性基片；4）氧化还原法制备单层石墨烯溶液；5）在室温条件下将步骤3）得到的改性基片浸入步骤4）的石墨烯溶液中，浸泡时间为5‑20分钟，然后取出基片，将基片真空干燥即得到单层石墨烯薄膜。
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