[发明专利]互补TFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201310428652.0 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465657B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了互补TFET及其制造方法。互补高迁移率TFET包括nTFET和pTFET。nTFET包括InSb体区上方的第一金属栅，第一掺杂类型的InSb源区，和与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的InSb漏区。pTFET包括GaSb体区上方的第二金属栅，第一掺杂类型的GaSb漏区，和与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的GaSb源区。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 tfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种互补TFET，包括：nTFET，包括InSb体区上方的第一金属栅(60a)，第一掺杂类型的InSb源区(71a)，和与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的InSb漏区(72a)；以及pTFET，包括GaSb体区上方的第二金属栅(60b)，第一掺杂类型的GaSb漏区(72b)，和与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的GaSb源区(71b)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
