[发明专利]一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器有效
| 申请号： | 201310428936.X | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103490743A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李丽;韩东;邓建国;李宏军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器，属于谐振器和滤波器领域。本发明包括低阻硅的衬底、设于衬底上、且与衬底之间设有空气隙的支撑层，在支撑层上设有由下电极、压电层和上电极组成的三明治结构，在支撑层和压电层或仅在支撑区上设有金属化通孔，在低阻硅衬底的底面设有电极引出层，上电极或下电极通过金属化通孔与电极引出层电连通。本发明的谐振器将谐振器的上电极或下电极转移到衬底的背面，实现了电极在物理结构上的直接接地；利用这种谐振器组成的滤波器避免了键合引线带来的接地电感的影响，接地性能不受键合引线长短的影响，可实现滤波器装配后的性能与理想接地时的性能基本一致；并且在接地电路中不需加入任何其他元件，操作简单、方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 baw 谐振器 滤波器 | ||
【主权项】：
一种薄膜BAW谐振器，包括低阻硅的衬底（1）、设于衬底（1）上、且与衬底（1）之间设有空气隙（7）的支撑层（2），在支撑层（2）上设有由下电极（3）、压电层（4）和上电极（5）组成的三明治结构，其特征在于在支撑层（2）和压电层（4）或仅在支撑区（2）上设有金属化通孔（21），在低阻硅衬底（1）的底面设有电极引出层（22），所述上电极（5）或下电极（3）通过金属化通孔（21）与电极引出层（22）电连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310428936.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
