[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置有效
申请号: | 201310429001.3 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN103715175B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 横山孝司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 陈桂香,褚海英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置。所述半导体器件包括包含有源区域的半导体层;利用有源区域形成的半导体元件;连接区域,它们是通过将半导体层的一些部分以相对于有源区域孤立的岛状形状金属化而获得的;绝缘膜,其被形成为覆盖半导体层的一个主表面侧;电极,它们被设置成与半导体元件和连接区域面对,且所述电极与所述半导体元件和所述连接区域之间夹着所述绝缘膜;以及接触部,它们贯穿绝缘膜从而选择性地形成在将半导体元件或连接区域连接至电极的各部分之中的所需部分中。本发明能够通过选择接触部的布置方式而不是依赖于仅仅使配线迂回的方式来形成所期望的电路,因此能够实现半导体器件的小型化。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 以及 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:半导体层,它包括有源区域;半导体元件,它们是利用所述有源区域形成的;连接区域,它们是通过将所述半导体层的一些部分以相对于所述有源区域孤立的岛状形状金属化而获得的;绝缘膜,它被形成为覆盖所述半导体层的一个主表面侧;电极,它们被布置为面对着所述半导体元件和所述连接区域,且所述电极与所述半导体元件和所述连接区域之间夹着所述绝缘膜;以及接触部,它们贯穿所述绝缘膜从而选择性地形成在用于将所述半导体元件或所述连接区域连接至所述电极的各部分之中的所需部分中,其中,通过选择所述接触部的形成位置来选择所述半导体元件与所述连接区域之间的经由所述电极的连接状态。
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