[发明专利]一种生长具有锥形特征的镍薄膜的真空镀膜方法

摘要

本发明公开了一种生长具有锥形特征的镍薄膜的真空镀膜方法，该方法利用磁控溅射法，在没有施加直流偏置电压的条件下，通过控制溅射氩气气压、基片温度、金属靶与相应阳极罩之间的极间电压、极间放电电流，在二氧化硅玻璃上基片制备出具有金字塔形貌的镍薄膜，此薄膜具有(100)或(110)的择优取向；该方法包括：选择纯金属镍靶作为溅射靶材；选择二氧化硅玻璃为生长基片；在派射室内采用专门的直流磁控溅射工艺，在二氧化硅玻璃基片上磁控溅射镍薄膜；本发明可以适用于不同导电性能基片，并简化了利用磁控溅射法生长出金字塔形貌镍薄膜的方法。

主权项

一种生长具有锥形特征的镍薄膜的真空镀膜方法，其特征在于：利用磁控溅射法，在没有施加直流偏置电压的条件下，通过控制溅射氩气气压、基片温度、金属靶与相应阳极罩之间的极间电压、极间放电电流，在二氧化硅玻璃基片上制备出具有金字塔形貌的镍薄膜，此薄膜具有(110)或(110)的择优取向；该方法的具体步骤如下：步骤1：用纯金属镍靶作为溅射靶材；步骤2：用二氧化硅玻璃为生长基片；步骤3：在溅射室内，采用直流磁控溅射工艺，在二氧化硅玻璃基片上磁控溅射沉积镍薄膜；上述直流磁控溅射工艺是：先将溅射室内的本底真空度抽至1×10^‑3‑5×10^‑5Pa，再将溅射室内充入纯度高于99％的氩气，使溅射氩气气压处于5×10^‑1‑12Pa的范围内，并将基片温度调至20～200℃；之后在金属镍靶上施加励磁电流为2～3A的电磁场；在金属靶与相应阳极罩之间施加300～800V的极间电压、1.5×10^‑1‑5×10^‑1A的极间放电电流；调节氩气气压、基片温度，并综合调节极间电压、极间放电电流以控制溅射功率，建立并维持两极之间稳定的辉光放电。