[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201310430036.9 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104465380B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底以及栅极结构的掩膜层；对所述掩膜层进行氧化处理，使得部分厚度的掩膜层转化为氧化层；图形化所述掩膜层和氧化层，以图形化的掩膜层和氧化层为掩膜，对位于栅极结构侧向区域的半导体衬底进行刻蚀，形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层。本发明提供的半导体器件的制作方法，在对掩膜层进行氧化处理后，改善了形成应力层工艺的选择性，从而避免在形成应力层时，所述应力层的材料形成于掩膜层表面，优化半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜层 半导体器件 应力层 栅极结构 氧化层 衬底 半导体 氧化处理 图形化 制作 半导体衬底表面 材料形成 侧向区域 电学性能 刻蚀 掩膜 覆盖 转化 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底以及栅极结构的掩膜层；对所述掩膜层进行氧化处理，使得部分厚度的掩膜层转化为氧化层；图形化所述掩膜层和氧化层，图形化后的所述掩膜层和氧化层位于栅极结构的顶部和侧壁，以图形化的掩膜层和氧化层为掩膜，对位于栅极结构侧向区域的半导体衬底进行刻蚀，形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
