[发明专利]ITO薄膜的制备方法及采用该ITO薄膜的LED芯片的制作方法

摘要

本发明提供一种ITO薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，将所述衬底放置于磁控溅射设备腔体内，并通入氩气，然后利用射频电源使氩气起辉并产生氩等离子体；S2：再施加直流电源，在所述衬底表面形成一ITO保护层；S3：关掉所述射频电源；在所述磁控溅射设备腔体内通入预设流量的辅助气体，在所述ITO保护层上形成至少一层折射率小于所述ITO保护层折射率的ITO薄膜层；所述ITO保护层及其上所有的ITO薄膜层共同形成折射率渐变的ITO薄膜。使用该ITO薄膜的LED芯片中，光在各介质膜层的逸出角较大，既使量子阱发出光能够尽可能多的逸出到ITO膜层，又能使得ITO膜层中的光尽可能的逸出到封装胶外，从而提升了发光二极管的外量子发光效率，提升器件的亮度。

主权项

一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜的制备方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，将所述衬底放置于磁控溅射设备腔体内，并通入氩气，然后利用射频电源使氩气起辉并产生氩等离子体；S2：再施加直流电源，在所述衬底表面形成一ITO保护层；S3：关掉所述射频电源；在所述磁控溅射设备腔体内通入预设流量的辅助气体，在所述ITO保护层上形成至少一层折射率小于所述ITO保护层折射率的ITO薄膜层；所述ITO保护层及其上所有的ITO薄膜层共同形成折射率渐变的ITO薄膜。