[发明专利]一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法有效
申请号: | 201310431420.0 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN104465450B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 万磊;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,包姝晴 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法,在第一气路中通过分流器将具有第一压力的反应气体降为具有第二压力的第一工艺气体,并输送到放在静电吸盘上的基片进行反应处理;在分流器之前的管路连通旁支的第二气路,分出一路反应气体或在其中混入稀释气体后形成具有第一压力的第二工艺气体,利用静电吸盘中边缘的气体通道将第二工艺气体输送到基片背面的边缘,并利用中心的气体通道将氦气或第二工艺气体输送到基片表面的中心实现传热冷却。由于第一、第二工艺气体成分相同或非常接近,两者混合后基本不会改变处理基片边缘时的反应条件。高压的第二工艺气体,压力供应范围更大,可有效弥补导热效率低于氦气的不足,从而确保冷却效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 冷却 静电 吸盘 供气 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于冷却静电吸盘的供气装置,所述静电吸盘(2)位于真空处理室(1)内的底部,对放置在该静电吸盘(2)上的基片(3)进行固定支持;其特征在于,所述供气装置包含有第一气路和第二气路;所述第一气路将具有第二压力的第一工艺气体(40)输送到真空处理室(1)内,来对基片(3)表面进行反应处理;所述静电吸盘(2)中开设有若干气体通道;所述第二气路将具有第一压力的第二工艺气体(80,80’)作为冷却气体,至少输送到位于静电吸盘(2)边缘的相应气体通道中,使得所述第二工艺气体(80,80’)能够流入基片(3)背面与静电吸盘(2)顶面之间的空隙,以便于对基片(3)进行传热冷却;其中,所述第二工艺气体(80,80’)是只包含所述第一工艺气体(40)成分的反应气体或者是所述反应气体与稀释气体的混合气体;所述第二工艺气体(80,80’)具有的第一压力高于所述第一工艺气体(40)具有的第二压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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