[发明专利]解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法有效
| 申请号： | 201310432018.4 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103489825A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;贺忻;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法，包括：第一步骤，在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤，通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤，通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成源漏接触和栅极接触；第四步骤，通过等离子体处理对镍硅化物进行表面处理；第五步骤，对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 氮化 镍硅化物 界面 剥落 问题 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤：通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤：通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成源漏接触和栅极接触；第四步骤：通过等离子体处理对镍硅化物进行表面处理；第五步骤：对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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