[发明专利]铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
| 申请号： | 201310432180.6 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103451733A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王金华 | 申请（专利权）人： | 王金华 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B17/00;C30B21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 铌酸盐T1myHozBi1-y-zNbO4发光材料，其特征在于：分子式表示为TmyHozBi1-y-zNbO4，y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。其熔体法晶体生长方法是按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；TmyHozBi1-y-zNbO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸盐 tm sub ho bi nbo 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
铌酸盐TmyHozBi1‑y‑zNbO4发光材料，其特征在于：分子式表示为TmyHozBi1‑y‑zNbO4，y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。
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