[发明专利]栅极氧化层生长方法以及CMOS管制作方法在审
| 申请号： | 201310432366.1 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103489770A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张冬明;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极氧化层生长方法以及CMOS管制作方法：进行阱注入形成N型阱或P型阱；在N型阱或P型阱上制作栅极氧化层；进行栅极的淀积；进行多晶硅的光刻以形成栅极。在栅极侧边制作栅极侧墙一；进行轻掺杂注入形成轻掺杂源漏结构；在栅极侧墙一侧边制作形成侧墙二；进行源漏注入形成源漏极；制作金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。在N型阱或P型阱上制作栅极氧化层包括：通过现场水汽生成来生长栅极氧化层；对栅极氧化层进行氮化；对栅极氧化层进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化 生长 方法 以及 cmos 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅极氧化层生长方法，其特征在于包括：通过现场水汽生成来生长栅极氧化层；对栅极氧化层进行氮化；对栅极氧化层进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
