[发明专利]铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201310433349.X 申请日: 2013-09-22
公开(公告)号: CN103474511A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 吕文博;宋秋明;李朝晖;谭兴;肖旭东 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院;香港中文大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;C23C14/35
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底,采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层;采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层;采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层;采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层;采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层,制得铜铟镓硒薄膜前驱体;及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理,得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法,而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。
搜索关键词: 铜铟镓硒 光吸收 制备 方法 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法,包括如下步骤:提供衬底,采用溅射法在所述衬底上形成第一铜镓层;采用溅射法在所述第一铜镓层上形成第一铟层;采用溅射法在所述第一铟层上形成硒化铜层;采用溅射法在所述硒化铜层上形成第二铟层;采用溅射法在所述第二铟层上形成第二铜镓层,制得铜铟镓硒薄膜前驱体;及将所述铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理,得到铜铟镓硒光吸收层。
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