[发明专利]铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201310433349.X | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103474511A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 吕文博;宋秋明;李朝晖;谭兴;肖旭东 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/35 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法包括提供衬底,采用溅射法在衬底上形成第一铜镓层;采用溅射法在第一铜镓层上形成第一铟层;采用溅射法在第一铟层上形成硒化铜层;采用溅射法在硒化铜层上形成第二铟层;采用溅射法在第二铟层上形成第二铜镓层,制得铜铟镓硒薄膜前驱体;及将铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理,得到铜铟镓硒光吸收层的步骤。该铜铟镓硒光吸收层的制备方法不采用引入表面缺陷的方法,而是主动控制镓在铜铟镓硒薄膜厚度方向上的分布实现双梯度能带分布。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 光吸收 制备 方法 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法,包括如下步骤:提供衬底,采用溅射法在所述衬底上形成第一铜镓层;采用溅射法在所述第一铜镓层上形成第一铟层;采用溅射法在所述第一铟层上形成硒化铜层;采用溅射法在所述硒化铜层上形成第二铟层;采用溅射法在所述第二铟层上形成第二铜镓层,制得铜铟镓硒薄膜前驱体;及将所述铜铟镓硒薄膜前驱体进行硒化热处理,得到铜铟镓硒光吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的