[发明专利]半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310434930.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103474629A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;韩春华;马鑫萸;晏梦雨 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法，由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成，石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙，其中H2V3O8纳米线直径为20-80nm。该纳米材料可作为锂离子电池正极活性材料。本发明具有工艺简单、成本低等优点，由电极材料组装的电池具有循环稳定性好、在大电流下电化学性能优异等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 双连 sub 石墨 中线 结构 同轴 纳米 线材 料及 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线，由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成，其直径为100‑500nm，石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙，其中H2V3O8纳米线直径为20‑80nm，采用下述方法制得，包括有以下步骤：1）取1.1～1.5mmol的V2O5溶胶置于烧杯中，以苯胺/V2O5溶胶摩尔比为0.03:1的比例向V2O5溶胶中加入0.5mol/L的苯胺溶液，搅拌均匀；2）向步骤1）所得溶液中加入石墨烯分散液，并加入去离子水至溶液总体积为60ml，搅拌30分钟；3）将步骤2）所得的溶液超声20分钟，以获得均一溶液；4）将步骤3）所得的均一溶液转移至100ml反应釜中，放入恒温箱进行水热反应，反应结束后，由反应釜中取出，自然冷却到室温；5）用无水乙醇反复洗涤步骤4）所得产物，烘干即得到半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线。
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