[发明专利]一种低维纳米银/ Bi2Te3基热电复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310436498.1 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103474567A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王连军;张骐昊;王明辉;朱娟娟;江莞 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低维纳米银/Bi2Te3基热电复合材料及其制备方法，所述热电复合材料由两相组成，第一相为纳米Bi2Te3，第二相为低维纳米银；其中热电复合材料中纳米银的体积百分含量为0.5～2.5%。制备方法：分别合成纳米Bi2Te3与低维纳米银，然后按不同体积比进行超声混合，最后利用放电等离子体SPS技术烧结，得到低维纳米银/Bi2Te3基热电复合材料。本发明与碲化铋基热电材料相比，在维持基体热电材料的电导率基本不变的情况下，可显著降低材料的晶体热导率，提高材料的塞贝克（Seebeck）系数，由此可较大幅度地提高材料的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 bi sub te 热电 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低维纳米银/Bi2Te3基热电复合材料，其特征在于：所述热电复合材料由两相组成，第一相为纳米Bi2Te3，第二相为低维纳米银；其中热电复合材料中纳米银的体积百分含量为0.5～2.5%。
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