[发明专利]一种高灵敏度的热电子热辐射探测计及其制备方法有效
| 申请号： | 201310436915.2 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103542941A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴孝松;韩琪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子热辐射探测计及其制备方法。该方法包括如下步骤：（1）在SiO2衬底上进行甩膜得到PMMA层；对PMMA层依次进行电子束曝光和显影得到电极的图形，然后蒸镀电极；（2）去除SiO2衬底上的PMMA层；将氮化硼-无序石墨烯薄膜转移到SiO2衬底上；氮化硼-无序石墨烯薄膜为由氮化硼薄膜和无序石墨烯薄膜依次叠加的复合薄膜，无序石墨烯薄膜设于蒸镀有电极的SiO2衬底的端面上；（3）在氮化硼-无序石墨烯薄膜上进行甩膜得到PMMA层，然后依次经电子束曝光和刻蚀得到与所述电极相对应的结构，至此即得电子热辐射探测计。本发明与现有的使用超导隧道结制备的石墨烯热辐射探测计相比，不用工作在极低温度下，而是可以工作在普通的液氦制冷机，减少了成本而且操作非常简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 电子 热辐射 探测 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子热辐射探测计的制备方法，包括如下步骤：（1）在SiO2衬底上进行甩膜得到PMMA层；对所述PMMA层依次进行电子束曝光和显影得到电极的图形，然后蒸镀电极；（2）去除所述SiO2衬底上的所述PMMA层；将氮化硼‑无序石墨烯薄膜转移到所述SiO2衬底上；所述氮化硼‑无序石墨烯薄膜为由氮化硼薄膜和无序石墨烯薄膜依次叠加的复合薄膜，所述无序石墨烯薄膜设于蒸镀有所述电极的所述SiO2衬底的端面上；（3）在所述氮化硼‑无序石墨烯薄膜上进行甩膜得到PMMA层，然后依次经电子束曝光和刻蚀得到与所述电极相对应的结构，至此即得电子热辐射探测计。
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