[发明专利]阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS及其制作方法无效
| 申请号： | 201310437804.3 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103489916A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 聂卫东;朱光荣;易法友 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS及其制作方法。以淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；在多晶与P型体区之间设置有栅极氧化层，在多晶与LDMOS的漏极之间设置有阶梯氧化层，阶梯氧化层的厚度厚于栅极氧化层，且阶梯氧化层与多晶构成的LDMOS的栅极自对准。本发明明显改善了器件大电流、大电场情况下的安全工作区，导通电阻基本上没有增加，同时成本低，工艺易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 氧化 有源 漂移 结构 ldmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯栅氧化层有源漂移区结构的N型LDMOS，包括淡掺杂的硅基材料、N阱、漂移区掺杂、阶梯氧化层、多晶、栅极氧化层、P型体区内部的浓N型、P型体区、P型体区内部的浓P型、浓N型、场氧化层；所述淡掺杂的硅基材料为最底层基础；淡掺杂的硅基材料的上层为N阱；N阱的上层包括多晶构成LDMOS的栅极，N阱、漂移区掺杂和浓N型构成LDMOS的漏极，P型的体区构成LDMOS的沟道区，P型体区内部的浓N型构成LDMOS的源极；P型体区内部的浓P型与P型体区掺杂，构成LDMOS的衬底端；其特征在于：所述栅极氧化层设置在多晶与P型体区之间，所述阶梯氧化层设置在多晶与LDMOS的漏极之间，阶梯氧化层的厚度厚于栅极氧化层，且阶梯氧化层与所述多晶构成的LDMOS的栅极自对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市晶源微电子有限公司，未经无锡市晶源微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310437804.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种隧道多断面声传输特性检测系统及方法
- 下一篇：刚毛藻综合利用技术
- 同类专利
- 专利分类
