[发明专利]晶体硅太阳电池前电极无效
| 申请号： | 201310438156.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103456803A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈奕峰;皮尔·威灵顿;杨阳;徐冠超;张舒 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 张晓东 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅太阳电池前电极，包括多根相互平行的细栅线金属电极以及垂直于细栅线金属电极的多列相互平行的主栅线金属电极，每列主栅线金属电极由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极内的主栅线金属电极分段之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。既有效地降低了主栅的金属浆料消耗量，又不增加细栅线金属电极汇流至主栅线金属电极的距离，为降低电池的串联电阻提供可能，提高了电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳电池 电极 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池前电极，其特征在于：包括多根相互平行的细栅线金属电极(2)以及垂直于细栅线金属电极(2)的多列相互平行的主栅线金属电极(1)，每列主栅线金属电极(1)由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极(1)内的主栅线金属电极分段(1‑1)之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极(2)之间的空白区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
