[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法有效
| 申请号： | 201310438705.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465563B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 填充 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，所述第一金属层填充于所述硅通孔内，所述第一金属层的厚度小于所述硅通孔的半径；塑性材料层，所述塑性材料层位于所述第一金属层的侧壁上，所述塑性材料层暴露所述第一金属层的底壁；第二金属层，所述第二金属层填充于塑性材料层内，所述塑性材料层和第二金属层之间还具有第二金属种子层。
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