[发明专利]抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路有效
| 申请号： | 201310438818.7 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103546146A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，该电路由第一缓冲器（101），第二缓冲器（102），选通PMOS管（103），选通NMOS管（104）和反相器（105）构成；其中第一缓冲器用于消除“高低高”型脉冲，其输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通PMOS管（103）的栅极；第二缓冲器用于消除“低高低”型脉冲，输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通NMOS管（104）的栅极。选通PMOS管（103）漏极同选通NMOS管（104）漏极相连，作为反相器（105）的输入端；反相器（105）的输出端作为抗单粒子瞬态脉冲电路的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 瞬态 脉冲 cmos 电路 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器（101），用于消除“高低高”型脉冲，其输入端接收输入信号（in），其输出端输出第一缓冲信号（out1）；第二缓冲器（102），用于消除“低高低”型脉冲，其输入端接收输入信号（in），其输出端输出第二缓冲信号（out2）；选通PMOS管（103）和选通NMOS管（104），其中选通PMOS管（103）源极和衬底连接电源，选通NMOS管（104）源极和衬底接地，选通PMOS管（103）漏极同选通NMOS管（104）漏极相连，选通PMOS管（103）的栅极连接第一缓冲信号（out1），选通NMOS管（104）的栅极连接第二缓冲信号（out2）；输出反相器(105)，其输入端连接选通PMOS管（103）漏极，其输出端即为抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路的输出端。
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