[发明专利]一种碳化硅外延炉加热基座无效
| 申请号： | 201310438846.9 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103469300A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种碳化硅外延炉加热基座，解决了现有的碳化硅外延炉加热基座的小圆盘基座在气浮气体的作用下导致温度不均匀，从而导致碳化硅外延缺陷增多等问题。一种碳化硅外延炉加热基座，包括大圆盘基座和至少一个小圆盘基座，所述大圆盘基座的上表面上凹设有数个圆形安装槽，所述安装槽的数量与所述小圆盘基座的数量相等，每个安装槽的底部均开设有进气口，每个小圆盘基座对应气浮于一个安装槽内；所述小圆盘基座包括碳化硅制成的碳化硅基座和涂覆于碳化硅基座外表面的TaC涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 加热 基座 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延炉加热基座，包括大圆盘基座和至少一个小圆盘基座，所述大圆盘基座的上表面上凹设有数个圆形安装槽，所述安装槽的数量与所述小圆盘基座的数量相等；每个安装槽的底部均开设有进气口，每个小圆盘基座对应气浮于一个安装槽内；其特征在于：所述小圆盘基座包括碳化硅制成的碳化硅基座，所述碳化硅基座的外表面涂覆有TaC涂层。
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