[发明专利]垂直耦合马赫-曾德干涉式微环谐振腔光学生化传感芯片有效
| 申请号： | 201310439088.2 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103487406A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王卓然;袁国慧;高亮;王维 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的垂直耦合马赫-曾德干涉式微环谐振腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，SOI基体的单晶硅层包含U型波导和微环谐振腔；所述微环谐振腔位于U型波导的正上方，二者重叠并在U型波导平面的垂直方向耦合。该生化传感芯片在微环谐振腔的梳状透射谱线中与MZ干涉梳状透射谱线峰值相对应的谐振峰由于调制的作用将使得该透射谱线非常的尖锐，所以这种传感器除了具有很大的自由光谱范围之外，还具有很高的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 耦合 马赫 干涉 式微 谐振腔 光学 生化 传感 芯片 | ||
【主权项】：
垂直耦合马赫‑曾德干涉式微环谐振腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含U型波导和微环谐振腔，U型波导由输入直波导、输出直波导和半圆环形波导耦合组成平面U型结构，微环谐振腔包含至少两段半圆环形波导，所述半圆环形波导耦合组成平面环形结构；所述微环谐振腔位于U型波导的正上方，二者重叠间距为0，并在U型波导平面的垂直方向耦合；且，U型波导的半圆环形波导与微环谐振腔同侧的半圆形波导构成垂直耦合的MZ干涉结构，并分别作为MZ干涉结构的干涉臂。
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