[发明专利]晶振的形成方法有效
申请号: | 201310439580.X | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN104445045A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 肖启明;江博渊 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种晶振的形成方法,包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;沿第一表面形成若干硅通孔和真空腔,其中所述硅通孔围绕所述真空腔,且所述硅通孔深度大于真空腔深度;在所述硅通孔内填入填充物形成切割标记;提供第二衬底,所述第二衬底表面具有振动晶体;将第一衬底与第二衬底键合,所述真空腔正对振动晶体;沿第二表面减薄第一衬底,直至暴露出所述切割标记;沿所述切割标记对所述第一衬底进行切割。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便,切割精度高。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种晶振的形成方法,其特征在于,包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;沿第一表面形成若干硅通孔和真空腔,其中所述硅通孔围绕所述真空腔,且所述硅通孔深度大于真空腔深度;在所述硅通孔内填入填充物形成切割标记;提供第二衬底,所述第二衬底表面具有振动晶体;将第一衬底与第二衬底键合,所述真空腔正对振动晶体;沿第二表面减薄第一衬底,直至暴露出所述切割标记;沿所述切割标记对所述第一衬底进行切割。
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