[发明专利]光伏器件及其形成方法有效
申请号: | 201310439847.5 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103681905A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 陈自强;B·海克麦特朔塔巴里;D·K·萨达那;D·沙赫莉亚迪 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及光伏器件及其形成方法。光伏器件和方法包括晶体衬底以及与所述衬底接触地形成的发射极接触部分。背表面场结包括同质结层,所述同质结层与所述晶体衬底接触地形成且具有与所述衬底的导电类型相同的导电类型和比所述衬底的活性掺杂密度高的活性掺杂密度。所述同质结层包括小于少数载流子在该同质结层中的扩散长度的厚度。与所述衬底相对地且与所述同质结层接触地形成钝化层,该钝化层是未掺杂的或者具有与所述衬底的导电类型相同的导电类型。 | ||
搜索关键词: | 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏器件,包括:晶体衬底;与所述衬底接触地形成的发射极接触部分;以及背表面场结,所述背表面场结包括:与所述晶体衬底接触的同质结层,所述同质结层具有与所述衬底的导电类型相同的导电类型以及比所述衬底的活性掺杂密度高的活性掺杂密度,其中所述同质结层包括小于少数载流子在该同质结层中的扩散长度的厚度;以及与所述衬底相对地且与所述同质结层接触地形成的钝化层,所述钝化层是掺杂的或未掺杂的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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