[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201310439864.9 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103677071A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 时冈良宜;冨上健司;森信太郎;中村茂树 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宋岩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了半导体装置。本发明致力于防止在接收内部电源电压的供给的电路组中的有关耐压问题的发生。误差放大器输出通过放大在参考电压和分压电压之间的差电压而获得的控制电压,该分压电压通过将内部电源电压分压到输出节点上而获得。驱动晶体管将根据误差放大器的输出节点的控制电压的驱动电流从外部电源配线供给到内部电源配线。当分压电压超过预定电压时,箝位电路使控制电压在减小驱动电流的方向上变化。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一电源配线,接收第一DC电压的供给;第二电源配线,用于传输低于第一DC电压的第二DC电压;驱动晶体管,被耦接在第一电源配线和第二电源配线之间,并且将根据控制电极的电压的驱动电流从第一电源配线供给到第二电源配线;误差放大器,基于在参考电压和第二DC电压之间的差电压,使控制电极的电压或者向在增大驱动电流的方向上的第一电压变化或者向在减小驱动电流的方向上的第二电压变化;以及箝位电路,当第二DC电压超过高于参考电压的预定电压时,使控制电极的电压向第二电压变化。
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