[发明专利]高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法

摘要

本发明公开了一种高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法，包括以下步骤：S1、粗略仿射变换模型参数估计；采用SURF检测子检测关键点，建立Freak特征向量，根据特征向量进行关键点匹配；计算其变换模型M，判断余下特征点对是否符合该模型；S2、采用最小能量亚像素法进行仿射变换模型参数修正；若tx,ty>10pixel或θ>10°，则根据上述粗略参数估计(tx,ty,θ)，对待估计参数图像I(x,y)进行逆变换得到g(x,y)，计算g(x,y)与模板图像f(x,y)的最小能量方程E，判断E是否低于设定值，若否，进行下一次迭代；若是，则结束迭代过程，将tx'作为最终的x方向的平移参数、ty'作为最终的y方向的平移参数，θ'作为最终的旋转角度。本发明实现了高精度亚像素级定位，并且对光照变换和噪声具有很强的鲁棒性。

主权项

高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、粗略仿射变换模型参数估计；采用SURF检测子检测关键点，建立Freak特征向量，根据特征向量进行关键点匹配；随机选取4对匹配对，计算其变换模型M，判断余下特征点对是否符合该模型，统计符合模型M的匹配点对数X，判断X是否达到最大值或循环次数是否达到W次，若否，则重新选取4对匹配对，进行新一轮循环，若是，则剔除不符合当前模型M的特征点对；接着采用最小二乘法进行仿射变换模型参数估计(tx,ty,θ)；S2、采用最小能量亚像素法进行仿射变换模型参数修正；若tx,ty>10pixel或θ>10°，则根据上述粗略参数估计(tx,ty,θ)，对待估计参数图像I(x,y)进行逆变换得到g(x,y)，计算g(x,y)与模板图像f(x,y)的最小能量方程E，对E求各阶偏导并令其为0，求解变换参数(a,b,β)；令tx'=tx+a，ty'=ty+b，θ'=θ+β，计算在变换关系(tx',ty',θ')下的能量E；判断E是否低于设定值，若否，进行下一次迭代；若是，则结束迭代过程，将tx'作为最终的x方向的平移参数、ty'作为最终的y方向的平移参数，θ'作为最终的旋转角度。