[发明专利]一种阻变存储元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310442861.0 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103474571A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;贾长江;郝华;陈英方;娄建忠;刘保亭 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白海静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开了所述阻变存储元件的制备方法，其通过将自制的IGZO陶瓷靶材采用射频磁控溅射的方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片或Au/Ti/SiO2/Si基片上沉积形成a-IGZO层，然后进行高温退火处理，形成a-IGZO/Pt异质结构层或a-IGZO/Au异质结构层；然后将Ag上电极靶材采用直流磁控溅射的方法在在a-IGZO层上沉积形成Ag上电极层，从而形成Ag/a-IGZO/Pt异质结构层或Ag/a-IGZO/Au异质结构层。本发明所制备的阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储元件，其特性是，其异质结构层形式为Ag/a‑IGZO/Pt或Ag/a‑IGZO/Au，其中的a‑IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，Ag层为上电极层；所述非晶的IGZO阻变存储层的化学式为In‑Ga‑Zn‑O。
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