[发明专利]缺陷分析法有效
| 申请号： | 201310444792.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465434B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王通;杨健;朱瑜杰;陈思安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种缺陷分析方法，使用缺陷分析系统对缺陷进行分析，得出能够杀伤待测晶圆良率的数量，同时，将当前层薄膜的缺陷与前一层薄膜的缺陷进行坐标叠加，能够更加精确的得出杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量，以此计算出的良率杀伤率更加准确，能够增加对缺陷监控的敏感性，便于更加准确的判断晶圆是否报废。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 分析 | ||
【主权项】：
一种缺陷分析方法，包括步骤：(1)对待测晶圆第N层薄膜进行缺陷检测，获得第N层薄膜中缺陷的数量和缺陷的坐标；(2)判断第N层薄膜的缺陷数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则进入步骤(3)，若未超出预定标准，则进入步骤(5)；(3)使用缺陷分析系统对第N层薄膜的缺陷进行分析，得出第N层薄膜缺陷落入工作区杀伤待测晶圆良率的数量；(4)判断杀伤待测晶圆良率的落入工作区缺陷的数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则报废待测晶圆，若未超出预定标准，则进入步骤(5)；(5)将第N层薄膜的缺陷与第N‑1层薄膜的缺陷进行坐标叠加，得出第N层薄膜和第N‑1层薄膜中落入工作区杀伤待测晶圆良率的缺陷的数量；(6)判断第N层薄膜和第N‑1层薄膜中落入工作区杀伤待测晶圆的缺陷的数量是否超出预定标准；若超出预定标准，则报废待测晶圆，若未超出预定标准，则进行后续的生产；其中，所述N为大于0的自然数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
