[发明专利]使用硅穿孔的双面半导体结构在审
| 申请号： | 201310445268.1 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103715158A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | A·T·阮;K·阿马尔纳特;R·P·古塔拉 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及使用硅穿孔的双面半导体结构，所揭露的是使用硅穿孔的双面半导体结构用的方法及结构。双面结构在通过一或多个硅穿孔予以互连的前后两面上具有功能性电路。在某些具体实施例中，结合多个双面结构以产生电路密度增加的3D半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 穿孔 双面 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，其包含第一面和第二面，其中：第一电路是形成于该第一面上；第二电路是形成于该第二面上；以及其中，硅穿孔连接该第一电路和该第二电路。
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