[发明专利]打孔镉片补偿3He正比计数器中子能量响应的方法在审
| 申请号： | 201310445518.1 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104516008A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘建忠;王勇;刘倍;徐园;刘惠英 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G01T1/18 | 分类号： | G01T1/18 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种打孔镉片补偿3He正比计数器中子能量响应的方法，属于辐射测量领域。现有的方法中，3He正比计数器在低能段的响应明显高于国际放射委员会（ICRP）74号出版物给出的注量剂量转换曲线，如不加以补偿，会给实际测量工作带来较大的误差。本发明所述的方法在3He正比计数器外包裹一层镉的薄片，所述的镉薄片表面打有一定数量的孔洞。采用本发明所述的方法能够实现低能补偿，有效改善3He正比计数器对低能中子的响应。 | ||
| 搜索关键词： | 打孔 补偿 he 正比计数器 中子 能量 响应 方法 | ||
【主权项】：
一种打孔镉片补偿3He正比计数器中子能量响应的方法，包括以下步骤：在3He正比计数器外包裹一层镉的薄片，所述的镉薄片表面打有一定数量的孔洞。
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