[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310445627.3 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103715252A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一;渡边芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L21/314;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体分层结构；形成在化合物半导体分层结构之上的栅电极；覆盖化合物半导体分层结构的表面并且由氮化硅作为材料制成的第一保护绝缘膜；在第一保护绝缘膜上覆盖栅电极并且由氧化硅作为材料制成的第二保护绝缘膜；以及包含氮氧化硅并且形成在第一保护绝缘膜和第二保护绝缘膜之间的第三保护绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体分层结构；形成在所述化合物半导体分层结构之上的电极；覆盖所述化合物半导体分层结构的表面并且由氮化硅作为材料制成的第一保护绝缘膜；在所述第一保护绝缘膜上覆盖所述电极并且由氧化硅作为材料制成的第二保护绝缘膜；以及包含氮氧化硅并且形成在所述第一保护绝缘膜和所述第二保护绝缘膜之间的第三保护绝缘膜。
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