[发明专利]一种提高材料晶体质量的外延生长方法有效
| 申请号： | 201310446032.X | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103498193A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李淼;陈起伟;邓觉为;游桥明 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/40;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种改进的外延生长方法和结构设计理念，能够大幅度稳定提高外延材料晶体质量和提升发光材料和器件的效率。该外延生长方法的特别之处在于，其前期生长过程先进行两次短暂生长，主要包括以下环节：（1）在反应室内，在400度至900度升温过程中，通入TMGa和NH3，进行外延生长一段时间，然后停止通入TMGa和NH3，继续升温至高温段；（2）在高温段维持10-300s后，再次通入TMGa和NH3并维持10-200s；然后停止通入，继续在高温段处理10-500s。按照本发明的方法进行外延生长，有利于处理掉衬底固有的机械损伤和形成初期的成核中心，而在后续的外延生长过程中更加有利于成核和外延的继续，对于材料的晶体质量提高起到了明显的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 材料 晶体 质量 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高材料晶体质量的外延生长方法，其特征在于：其前期生长过程主要包括以下环节：（1）在反应室内，在400度至900度升温过程中，通入TMGa和NH3，进行外延生长一段时间，然后停止通入TMGa和NH3，继续升温至高温段；（2）在高温段维持10‑300s后，再次通入TMGa和NH3并维持10‑200s；然后停止通入，继续在高温段处理10‑500s；（3）然后，逐渐降温至缓冲层的生长温度，开始持续通入NH3，并在50‑300s后再通入TMGa进行生长120‑250s；然后停止通入TMGa并开始升温，再次达到高温段对已生长的GaN层进行处理。
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