[发明专利]一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台和验证方法有效

专利信息
申请号: 201310446686.2 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN103530166B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 杨阳;朱天成;郑炜;李鑫;鲁毅 申请(专利权)人: 中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所
主分类号: G06F9/455 分类号: G06F9/455
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙)11392 代理人: 符彦慈
地址: 300308 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台和验证方法,验证平台包括采用参数化定义的虚拟RAM和真实RAM,虚拟RAM上具有虚拟接口,所述虚拟接口与真实RAM连接并监控真实RAM。验证方法,包括以下步骤1)验证平台监测的待测设计向真实RAM进行数据写入操作;2)多通道芯片中的数据通过虚拟接口存储到虚拟RAM中;3)验证平台直接从虚拟RAM中读取数据。本发明的验证平台需要从虚拟RAM中读取数据时,可以直接对其中的RAM数据进行调用。这样的调用方法由于不需要模拟读写的接口时序,因此不会占用仿真时间,从而提高了仿真效率。
搜索关键词: 一种 基于 虚拟 ram 面向 通道 芯片 验证 平台 方法
【主权项】:
一种基于虚拟RAM的面向多通道芯片的验证平台,包括采用参数化定义的虚拟RAM和真实RAM,虚拟RAM上具有虚拟接口,所述虚拟接口与真实RAM连接并监控真实RAM,其特征在于,所述虚拟接口包括地址宽度参数、数据宽度参数、存储器深度参数和实例化的local bus虚拟接口,虚拟RAM根据接口参数划分出具有规定地址宽度、数据宽度和存储器深度的RAM块。
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