[发明专利]半导体合金鳍片场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310447383.2 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715261A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | K.程;T.N.亚当;A.卡基菲鲁兹;A.瑞兹尼塞克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 合金 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，包括：在单晶半导体材料层中形成沟槽，该单晶半导体材料层包括第一半导体材料并且位于半导体基板中；在所述沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的单晶半导体合金，第二半导体材料与第一半导体材料不同；以及图案化所述单晶半导体材料层和所述单晶半导体合金，以分别形成包括第一半导体材料的第一半导体鳍片以及包括所述单晶半导体合金的第二半导体鳍片。
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