[发明专利]p型金属氧化物半导体材料有效
| 申请号： | 201310447540.X | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715234A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 周子琪;邱国创;彭秀珠;邱显浩;谢玉慈 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种p型金属氧化物半导体材料，具有化学式：In1-xGa1-yMx+yZnO4+m，其中M为钙（Ca）、镁（Mg）或铜（Cu），0 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体材料 | ||
【主权项】：
一种p型金属氧化物半导体材料，具有化学式︰In1‑xGa1‑yMx+yZnO4+m，其中M为钙（Ca）、镁（Mg）或铜（Cu），0
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