[发明专利]基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管有效
| 申请号： | 201310448380.0 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103489745A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘庆想;李相强;孔龙;王庆峰;张政权 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01J61/02 | 分类号： | H01J61/02;H01J61/04 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 杨军 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，主要解决了现有技术中存在的产生电子束的实现难度较大、束流密度较高，所需外加引导磁场强度较高，不能满足技术发展需求的问题。其包括由圆柱导体构成的阴极支撑杆（1），一侧下方与阴极支撑杆（1）相连、由圆盘导体构成的发射盘，位于发射盘正上方的径向传输线（4），分别连接于径向传输线（4）与发射盘距离最近一端两侧的第一阳极壁（2）和第二阳极壁（8），位于发射盘外侧、一端与第一阳极壁（2）或第二阳极壁（8）连接径向传输线（4）一端相对的另一端相连的第三阳极壁（9）。通过上述方案，本发明达到了易于实施，符合技术发展需求的目的，具有很高的实用价值和推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阴极 产生 径向 电子束 二极管 | ||
【主权项】：
基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，包括由圆柱导体构成的阴极支撑杆（1），一侧下方与阴极支撑杆（1）相连、由圆盘导体构成的发射盘，位于发射盘正上方的径向传输线（4），分别连接于径向传输线（4）与发射盘距离最近一端两侧的第一阳极壁（2）和第二阳极壁（8），位于发射盘外侧、一端与第一阳极壁（2）或第二阳极壁（8）连接径向传输线（4）一端相对的另一端相连的第三阳极壁（9），所述径向传输线（4）、第一阳极壁（2）、第二阳极壁（8）和第三阳极壁（9）均由导体构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310448380.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
