[发明专利]一种利用双层绝缘层释放费米能级钉扎的方法无效
| 申请号： | 201310449100.8 | 申请日： | 2013-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103474340A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;郑珊;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法。本发明在金属和半导体之间插入一超薄的双层绝缘层，利用绝缘层和半导体之间形成的电偶极子以及两层绝缘层之间形成的电偶极子来拉低由于金属和半导体接触时费米能级钉扎所形成的高的肖特基势垒高度，方法简单有效，而且能够有效地释放费米能级钉扎，减小肖特基势垒高度，减小金属与半导体的接触电阻，实现欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 双层 绝缘 释放 费米 能级 方法 | ||
【主权项】：
一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法，其特征在于，具体步骤为：在半导体层之上生长一超薄的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上生长一超薄的不同于第一绝缘层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上沉积顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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