[发明专利]一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310449306.0 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872190B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张汝京;邓觉为;黄宏嘉;缪炳有;梁金刚 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 倪金荣 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将步骤1)生长了非掺杂氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。本发明的一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，降低GaN的缺陷密度，进一步提高LED亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 减少 gan 外延 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将步骤1)生长了非掺杂氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。
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