[发明专利]一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310449885.9 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103553626A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 沙建军;韦志强;李建;代吉祥 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连智慧专利事务所 21215 | 代理人： | 刘琦 |
| 地址： | 116024 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高致密度陶瓷基复合材料及其制备方法和应用，二硼化锆-二硅化锆-碳化钨陶瓷基复合材料，是以二硼化锆粉末、二硅化锆和碳化钨为原料（纯度>98.0%），采用两步热压烧结工艺制备的。其中，二硼化锆粉末的质量份数为75～90%，在陶瓷基复合材料中加入较高含量的二硼化锆，有利于提升复合材料的物化性能；二硅化锆的质量份数为10～15%，将此质量份数的二硅化锆加入到陶瓷基复合材料中，能够明显降低材料制备的烧结温度；碳化钨的质量份数为0～10%，加入的碳化钨能够促进材料内部晶粒的各向异性增长。三种原始粉末的晶粒尺寸为1～5微米，此范围的晶粒尺寸有利于各相的均匀混合。本发明用作高超声速飞行器表面隔热层，具有高致密度、高力学性能的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高致密度陶瓷基复合材料，其特征在于，为二硼化锆‑二硅化锆‑碳化钨混合粉末热压烧结制得的陶瓷基复合材料，其中： 所述二硼化锆的质量份数为：75～90%； 所述二硅化锆的质量份数为：10～15%； 所述碳化钨的质量份数为：0～10%； 三者纯度为98.0～99.9%。
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