[发明专利]有机发光二极管在审
申请号: | 201310451283.7 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103904227A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 李善英;郭允铉;朴范雨;崔锺元;崔华逸;金昭延;李智娟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了有机发光二极管(OLED)。该OLED包括:衬底,在所述衬底上的第一电极,与所述第一电极相对布置的第二电极,布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,布置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴迁移区域,以及布置在所述发射层和所述第二电极之间的电子迁移区域。所述空穴迁移区域包含具有含有取代或未取代的咔唑部分的一个N-取代基和含有取代或未取代的芴部分的另一个N-取代基的叔胺。空穴迁移区域和发射层的至少之一包含含有至少两个咔唑部分的取代或未取代的化合物。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.有机发光装置,其包括: 衬底;在所述衬底上的第一电极;与所述第一电极相对布置的第二电极;布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层;布置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴迁移区域;以及布置在所述发射层和所述第二电极之间的电子迁移区域, 所述空穴迁移区域包含由以下通式1表示的第一化合物,所述空穴迁移区域和所述发射层的至少之一包含由以下通式2表示的第二化合物:
通式1和2中的Ar101、Ar102、Ar1和Ar2各自独立地选自取代或 未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C2-C10杂亚环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C2-C10杂亚环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基以及取代或未取代的C2-C60杂亚芳基; 通式1和2中的xa、xb、a和b各自独立地为0至5的整数; 通式1和2中的R101、R109、R1和R2各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C2-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C2-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基以及取代或未取代的C2-C60杂芳基; 通式1和2中的R102至R108、R111至R119以及R11至R14各自独立地选自:氢原子、氘原子、卤原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C2-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C2-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C2-C60杂芳基、-N(Q1)(Q2)和-Si(Q3)(Q4)(Q5),其中Q1至Q5各自独立地为C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C6-C60芳基和C2-C60杂芳基之一; 通式2中的c1和c4各自独立地为1至4的整数;以及 通式2中的c2和c3各自独立地为1至3的整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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