[发明专利]一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途

摘要

本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空后加热衬底，供给气源并增加功率，在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体，沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域，有助于微纳器件研究领域的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。

主权项

一种低应力硅化合物超厚膜材料，其特征在于，所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，薄膜应力低于100MPa。