[发明专利]一种新型法布里-帕罗干涉型MEMS声波传感器无效
| 申请号： | 201310451513.X | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103528665A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 金长江;师廷伟;王素青;刘勇;张健;李迎春;李晓林;张方;相征;杨军;杜伟梁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十七研究所 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 450047 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型法布里-帕罗干涉型MEMS声波传感器，包括准直器、SOI晶片和设置在SOI晶片下面用于支撑SOI晶片和固定准直器的套管，所述的SOI晶片上加工有声敏感薄膜，所述套管的中心轴线与SOI晶片上圆形硅膜的中心法线重合，所述插入套管的光纤准直器端面距离声敏感薄膜的距离为100~300微米。本发明利用带尾纤的光纤准直器端面与硅微薄膜内表面构成法布里-帕罗干涉仪的两个平行面，当外界声波产生的压力作用到薄膜上时将导致薄膜发生形变，从而改变法布里-帕罗干涉腔的腔长。通过对F-P腔长变化量的解调实现对声波信号探测，从而为强电磁干扰环境下提供一种抗干扰能力强、微型化、高灵敏度的传声器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 法布里 干涉 mems 声波 传感器 | ||
【主权项】：
一种新型法布里‑帕罗干涉型MEMS声波传感器，其特征在于：包括准直器、SOI晶片和设置在SOI晶片下面用于支撑SOI晶片和固定准直器的套管，所述的SOI晶片上加工有声敏感薄膜，所述的准直器固定在套管上，并与其套接且准直器的上端面与声敏感薄膜内表面构成法布里‑帕罗干涉仪的两个平行面，两个平行面与SOI晶片的基体构成一个干涉腔；所述套管的中心轴线与SOI晶片上圆形硅膜的中心法线重合，所述插入套管的光纤准直器端面距离声敏感薄膜的距离为100~300μm。
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